Lo que se viene: Memorias PCM … by Intel

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Intel ya tiene casi listos los prototipos “superiores” a las memorias flash. Estos dispositivos se llaman Alverstone, tienen células multi-gigabit de 256 Mb y se han fabricado con tecnología de 90 nanos.

Estructura: Todo se basa en el “cristal de chalcogenide”(suena raro no?), esta sustancia adquiere dos estados, el amorfo y el cristalino. He aquí el pequeño y clave proceso, la fase amorfa se utiliza para representar el binario “0” y la cristalina, para representar el “1”.

En conclusión, estas memorias no volátiles han sido investigadas por Numonyx y ST Microelectronics (Junto con Intel) desde el 2001. Estas tres empresas realizaron una prueba a 125 grados Celsius en períodos de 48 horas. Según la compañía, el dispositivo sobrevivió 100.000 ciclos de escritura/borrado sin problemas. Segun la fuente, Numonyx se encargará de los diversos tipos de estándares, camara mp3, móviles.

Sin duda esta memoria será un dispositivo mucho mejor, pero esperemos que la billetera y estas memorias no esten tan distanciadas … 😀

Fuente: TG Daily

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